Výrobca Číslo produktu:
TSM1NB60SCT A3G
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM1NB60SCT A3G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 500mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92
Inventár:
12898138
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM1NB60SCT A3G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
500mA (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
10Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
138 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-92
Balenie / puzdro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
TSM1NB60SCT A3GTB
TSM1NB60SCT A3GCT-DG
TSM1NB60SCT A3GTB-DG
TSM1NB60SCTA3GTB
TSM1NB60SCTA3GCT
TSM1NB60SCT A3GCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STQ2HNK60ZR-AP
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9835
ČÍSLO DIELU
STQ2HNK60ZR-AP-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.28
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMPH4029LFGQ-13
MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
DMN24H3D5L-7
MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23
DMP210DUFB4-7B
MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN
